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硅单晶切割片和研磨片

参考价格¥2400.00

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  • 一、服务简介
  • 二、送样信息
  • 样品邮寄地址:浙江省 衢州市 开化县 城关镇泉塘路51号
    样品接收人:邹剑秋
    联系方式:15726995681
  • 三、检测项目
  • 项目名称 检测标准 检测周期(工作日) 检测价格(元)
    导电类型 GB/T 1550-1997 | 非本征半导体材料导电类型测试方法 7 150
    电阻率 GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 7 200
    径向电阻率变化 GB/T 11073-2007 | 硅片径向电阻率变化的测量方法 7 150
    载流子寿命 GB/T 26068-2010 | 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 7 300
    氧含量 GB/T 1557-2006 | 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 7 150
    碳含量 GB/T 1558-2009 | 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 7 150
    晶体完整性 GB/T 1554-2009 | 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 7 500
    直径 GB/T 14140-2009 | 硅片直径测量方法 7 100
    厚度 GB/T 6618-2009 | 硅片厚度和总厚度变化测试方法 7 200
    总厚度变化 GB/T 6618-2009 | 硅片厚度和总厚度变化测试方法 7 200
    翘曲度 GB/T 6620-2009 | 硅片翘曲度非接触式测试方法 7 300
    晶向 GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法 7 200
    晶向偏离度 GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法 7 150
    参考面晶学取向 GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法 7 400
    粗糙度 GB/T 30860-2014 | 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 7 300
    项目名称
    检测标准
    检测周期(工作日)
    检测价格(元)
    导电类型
    GB/T 1550-1997 | 非本征半导体材料导电类型测试方法
    7
    150
    电阻率
    GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法
    7
    200
    径向电阻率变化
    GB/T 11073-2007 | 硅片径向电阻率变化的测量方法
    7
    150
    载流子寿命
    GB/T 26068-2010 | 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
    7
    300
    氧含量
    GB/T 1557-2006 | 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
    7
    150
    碳含量
    GB/T 1558-2009 | 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
    7
    150
    晶体完整性
    GB/T 1554-2009 | 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    7
    500
    直径
    GB/T 14140-2009 | 硅片直径测量方法
    7
    100
    厚度
    GB/T 6618-2009 | 硅片厚度和总厚度变化测试方法
    7
    200
    总厚度变化
    GB/T 6618-2009 | 硅片厚度和总厚度变化测试方法
    7
    200
    翘曲度
    GB/T 6620-2009 | 硅片翘曲度非接触式测试方法
    7
    300
    晶向
    GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法
    7
    200
    晶向偏离度
    GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法
    7
    150
    参考面晶学取向
    GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法
    7
    400
    粗糙度
    GB/T 30860-2014 | 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
    7
    300
 

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